アルミナ質砥粒の総称。

■A砥粒

ボーキサイトを溶融精製して製造した褐色のアルミナ砥粒。含有するチタニア（TiO₂）のために褐色を呈している。

■AE砥粒

人造エメリー砥粒。

■AES

オージェ電子分光分析　Auger electron spectroscopy　の略語。オージェ電子は、試料に電子線、イオンビーム、X線などを照射してK殻、L殻等の内殻から電子を放出させた際、外殻の電子が空位の位置に落ち込んで放出する電子である。スペクトル測定により局部の元素分析ができ、深さ１ｎｍ程度までの表面分析に利用されている。

■AFM

原子間力顕微鏡。

■AZ砥粒

アルミナジルコニア砥粒。

■C系砥粒

黒鉛とコークスを高温で加熱して製造した六方晶系の炭化珪素（SiC)から成る黒色あるいは緑色の砥粒。

■C砥粒

黒色炭化珪素砥粒。

■CMP

化学的機械研磨技術　Chemical Mechnaical Polishing （またはPlanarization) の略称。LSIデバイスの高速動作を狙って、デバイス製作後のウエハ面の各チップ上に電気回路を多層にわたって積み重ねる技術の総称でもある。そこでは多層配線の層間ガラス膜の平坦研磨、配線銅めっき膜の研磨などが必要であり、それらの研磨のメカニズムに化学作用を伴う機械的研磨があるとしている。米国のSami規格では、シリコンウエハの湿式メカノケミカルポリシングをケム・メカニカルポリシング(Chem. Mechanical Polishing)と称し、CMPで表す場合がある。

■COP

シリコン単結晶の洗浄工程のエッチングによりウエハ表面に生じる結晶起因の欠陥のうち、パーティクルカウンタによりパーティクルとして計数されるもの。パーティクルを意味する　crystal-originated particle　の略語であるが、実体は０．２〜０．５μｍの大きさのピットである。

■EEM

超精密非接触研磨法の一つ。研磨剤中に浸漬したボール状工具の回転に伴う動圧浮上と遠心力による比重が大きい砥粒の浅い角度の衝突を加工に利用している。ポリウレタンの球状工具をNC制御で工作物面に沿って移動させ、工具滞在時間に比例する形で加工量を制御することにより、加工変質層がなく、最高形状精度の仕上げ面が得られる。微粒子の弾性的な(elastic)衝突により原子が工作物面から飛び出す(emission)加工法 (machining)の略語である。

■EPMA　

Electron probe microanalysis　の略語。電子ビーム照射に伴って放出される特性X線の波長と強度を計測して、試料表層中の元素組成を分析する方法である。走査を行うことにより、全元素の二次元的な分布を求めることが可能である。SEMの能力も兼ね備えている。

■GC砥粒　

緑色炭化珪素砥粒。

■IR法

赤外分光法　infrared spectroscopy　の略語。赤外線を照射した試料からの反射光、あるいは加熱した試料からの放射光を分光分析して、表面の化学的な諸情報を得る。表面の単分子層から５０ｎｍ程度の深さまでの表面分析ができ、気体、液体、固体のいずれにも適用可能である。

■LTV

local thickness variation の略語で、電子デバイス用ウエハの平坦度の評価項目の一つ。あるチップサイズ領域において、ウエハ裏面などの基準面から厚み方向に測定した最高高さと最低高さの差で、ウエハごとにチップ数だけLTVの値がある。

■OSF

�@シリコンウエハの表面や内部に生じる結晶欠陥の一つで、酸化により誘起される積層欠陥。ウエハ表面のOSFは表面近傍の残留歪みや汚染など、内部のOSFは過飽和含有酸素の析出物に起因する。　�Aウエハの表面を熱酸化して積層欠陥を誘起し、表面のダメージを評価する方法。

■PA砥粒

淡紅色アルミナ砥粒　pink alumina abrasive の略語。少量の酸化クロムの添加により淡紅色を呈し、切れ味の良い砥石の原料となる。