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CVDは、膜材料が気体で供給され、気相の中で基板（基材）表面の化学反応により成膜が行われるため化学的気相成長(CVD: Chemical Vapor Deposition)と呼ばれます。
プラズマCVDは、反応炉内に設けた並行平板型の電極に高周波を印加し、膜の主成分となる材料のハロゲン化物からなる原料ガスと、必要に応じて水素、窒素等のキャリアガスをプラズマ化して分解させ、電極上に置いた基板に析出して薄膜を形成する成膜技術です。
プラズマ発生法は高周波(並行平板型)の他、高周波(誘導結合型)、直流、マイクロ波等があります。プラズマを用いることで、熱CVDに比べて、300℃の低温でも成膜が可能で、基板との反応も防げることから、プラスチックなどの非耐熱基板へも成膜が可能です。
大面積化も容易で、膜厚の均一な膜を形成できる、などの多くの特徴を持っています。成膜時の圧力は1〜数100 Paとプラズマが発生しやすい圧力で行われています。
用途は、太陽電池のシリコン半導体膜のほかに、工具や軸受へのDLC膜、など幅広く利用されています。 |
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