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CVDは、膜材料が気体で供給され、気相の中で基板（基材）表面の化学反応により成膜が行われるため化学的気相成長(CVD: Chemical Vapor Deposition)と呼ばれます。
MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition))は、加熱された基板またはホルダ上に、液体状態の有機金属をガスバブリングにより気化し、基板上で分解と化学反応により膜を析出させる成膜法です。
基板の結晶面を反映した場合のエピタキシャル成長を行う場合、エピタキシャルを強調してMOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）とも呼ばれています。
また、ガスを混合することにより、多元素の結晶膜を作ることができます。
基板温度、ガス流量、チャンバー圧力を制御することで様々な物性の膜が出来る、大面積均一性に優れている、など多くの特長を備えています。
難点はガスの殆どが有毒ガスであるため、排気系の設計と製造には細心の注意が求められることです。
用途は、化合物半導体で、赤色LEDのGaAs系や、青色LEDや緑色LEDのGaN系が有名です。また、多元素の超電導材料、化合物半導体系の多元素太陽電池などへの応用もあります。 |
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