 |
CVDは、膜材料が気体で供給され、気相の中で基板（基材）表面の化学反応により成膜が行われるため化学的気相成長(CVD: Chemical Vapor Deposition)と呼ばれます。
熱CVDは、膜の主成分となる材料の原料ガス（ハロゲンガス、など）と、必要によりキャリアガス（水素、など）が供給されて、加熱された基板の上で熱分解反応して、金属や酸化物、窒化物の膜を堆積させる成膜法です。数100〜1000℃程度の高温下でガスを分解反応させることから熱CVDと呼ばれます。
大気圧で行う常圧CVDや数10 Paの減圧下で行う減圧CVD(LP-CVD)があります。 |
|
 |
