高周波励起型イオンプレーティング法は、高真空に排気した真空蒸着装置にアルゴンガス等を入れ、基板に高周波電界を印加してプラズマを発生させます。その後抵抗加熱や電子ビームの蒸発源から蒸発材料を蒸発させます。
　基板周辺には陰極暗部が形成され、空間に発生したプラズマからイオン化したアルゴンや蒸発原子が陰極暗部で加速されて基板に衝突します。基板はアルゴンガスなどのエネルギーで分子レベルで加熱され付着力の強固な膜が形成されます。
　イオン化プロセスですので、反応成膜などが容易に行えます。