ぷらなりぜーしょん
超LSIデバイスの製造において、最終的な配線回路の超高密度・三次元化構造を実現するため、デバイスプロセスで生じた0.5〜1μm程度の凹凸をリソグラフィ技術の焦点深度に見合うところまで平坦にすることを指す。次世代LSI製造のため、層間絶縁膜や配線金属膜のプラナリゼーションCMP（Chemical & Mechanical Polishing)法が提案され、今では専用の研磨装置が市販されている。
独立行政法人 産業技術総合研究所 (知財管理番号 : H15PRO160)
研磨用語
独立行政法人 産業技術総合研究所