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RFスパッタリングはスパッタリングチャンバー内はDCスパッタと同じです。電源が高周波電源と高周波整合器が付いていることが異なります。
電源を入れるとプラズマが発生しますが、プラズマには高周波の交番電流が発生しています。整合器で高周波電力が有効に使われるよう調整します。イオン化したアルゴンと電子は高周波に振られて交互に、ターゲット側、チャンバー側に入り電流となります。
アルゴンイオンは重いので動きが遅く、軽くて高速で動く電子が電流の流れを支配します。このため、面積の広いチャンバー側に電子電流が多く流れ、チャンバー側が陽極になり、面積の小さなターゲット側が負にバイアスされ、直流スパッタと同じようにスパッタリングが行われます。
交流で放電するため絶縁物の成膜に適しています。 |
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